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  膜光敏电阻与基于有机共轭分子的光敏分压器本专利技术的目的是提供一种有机异质结薄。的异质结薄膜电阻本专利技术提供,化的金属电极层和异质结薄膜组成由下至上依次由基底、衬底、图案;由下至上依次为氮所述异质结薄膜,辛基-3氮-二,4,9,亚胺)薄膜和酞菁铜或酞菁薄膜10-苝酰亚胺(以下简称苝酰。薄膜电阻中上述异质结,氮,辛基-3氮-二,4,9,和酞菁的结构式图如1所示10-苝酰亚胺、酞菁铜。酸乙二醇酯和聚对萘二甲酸乙二醇酯中的至少一种构成所述基底的材料选自硅片、玻璃、聚对苯二甲;薄膜和聚苯氧醚薄膜中的至少一种构成所述衬底的材质选自聚丙烯腈;层的材料为金或银构成所述金属电极;为30nm-50nm所述金属电极层的厚度;度为20nm-30nm所述苝酰亚胺薄膜的厚;度均为15nm-30nm所述酞菁铜或酞菁薄膜的厚。述异质结薄膜电阻的方法本专利技术提供的制备所,所述衬底、所述图案化的金属电极层后包括如下步骤:在所述基底上依次制备,所述苝酰亚胺薄膜和所述酞菁铜或酞菁薄膜在所述图案化的金属电极层上依次制备一层,质结薄膜电阻得到所述异。方法中上述,法为各种常规方法制备所述衬底的方,涂法如旋;、所述酞菁铜或酞菁薄膜的方法均为各种常规方法制备所述图案化的金属电极层、所述苝酰亚胺薄膜,热蒸镀法如真空;热蒸镀法中所述真空,/秒线埃。述基底上制备所述衬底步骤之前上述方法还包括如下步骤:在所,离子水、乙醇和异丙醇清洗干净先将所述基底依次用洗涤剂、去。衬底步骤之后在制备所述,金属电极层步骤之前制备所述图案化的,送入线小时将所得衬底,中残留溶剂以去除薄膜。和/或全有机共轭分子构建的图像传感器中的应用上述本专利技术提供的异质结薄膜电阻在光探测器,技术的保护范围也属于本专利。中其,器为光敏器件所述光探测,敏分压器具体为光。保护一种光敏分压器本专利技术还要求。底、图案化的金属电极层和电阻层组成该光敏分压器由下至上依次由基底、衬;中其,术提供的异质结薄膜和酞菁薄膜组成所述电阻层由共平面的前述本专利技,菁薄膜II的连接方式为串联且所述异质结薄膜与所述酞;薄膜II共用一段金属电极所述异质结薄膜与所述酞菁。分压器中上述光敏,与前述基底、衬底、图案化的金属电极层相同所述基底、衬底、图案化的金属电极层依次;度为30nm-40nm所述酞菁薄膜II的厚;的沟道长度为30-120μm所述异质结薄膜覆盖的金属电极,60μm具体为,0-2400μm沟道宽度为36,200μm具体为1;极的沟道长度为30-120μm所述酞菁薄膜II覆盖的金属电,60μm具体为,0-2400μm沟道宽度为120,200μm具体为1。备光敏分压器的方法本专利技术提供的制,备所述衬底、所述图案化的金属电极层后包括如下步骤:1)在所述基底上依次制,一层所述苝酰亚胺薄膜和所述酞菁铜或酞菁薄膜在所述图案化的金属电极层上的指定区域制备,异质结薄膜得到所述;定区域不同的位置制备一层所述酞菁薄膜II2)在所述金属电极层上与步骤1)所述指,菁薄膜II的连接方式为串联使所述异质结薄膜与所述酞,菁薄膜II共用一段金属电极并使所述异质结薄膜与所述酞,光敏分压器得到所述。方法中上述,法为各种常规方法制备所述衬底的方,涂法如旋;述酞菁铜薄膜和所述酞菁薄膜的方法均为真空热蒸镀法制备所述图案化的金属电极层、所述苝酰亚胺薄膜、所;热蒸镀法中所述真空,结薄膜覆盖金属电极的区域线)指定区域为所述异质,0-120μm沟道长度为3,60μm具体为,0-2400μm沟道宽度为36,200μm具体为1;菁薄膜II覆盖金属电极的区域所述步骤2)中的区域为所述酞,0-120μm沟道长度为3,60μm具体为,0-2400μm沟道宽度为120,200μm具体为1。述基底上制备所述衬底步骤之前上述方法还包括如下步骤:在所,离子水、乙醇和异丙醇清洗干净先将所述基底依次用洗涤剂、去;衬底步骤之后在制备所述,金属电极层步骤之前制备所述图案化的,送入线小时将所得衬底,中残留溶剂以去除薄膜。常见的有机分子酞菁铜/苝酰亚胺制备了具有线dB的有机薄膜光敏电阻本专利技术有具有以下有益效果:1、本专利技术首次利用了两种廉价,或硒化镉光敏电阻相媲美该数值可与常见的硫化镉;酰亚胺异质结光敏电阻的光照下线dB2、本专利技术所制备的酞菁铜/苝,的光照下线dB酞菁光敏电阻。中其,质结光敏电阻具有极佳的光电导酞菁铜(或酞菁)/苝酰亚胺异,的光电导最差酞菁光敏电阻。光电导的差异利用这两者,平面串联通过共,照极为敏感的分压器获得了具有对弱光辐,轭分子构建的图像传感器打下了基础为今后的弱光光探测器和全有机共;膜光敏电阻对于衬底没有特殊要求3、本专利技术所涉及的有机薄,平面衬底上加工能够在绝大多数;有有机共轭分子来源广泛且廉价4、本专利技术所涉及的方法具,的金属电极对采用共平面,艺简洁加工工,低廉成本,化镉光敏电阻器的环保替代品可作为一种潜在的硫化镉或硒。照下输出高电平、无光照下输出低电平的功能5、本专利技术提供的光敏分压器具有在光。利技术实施例1中氮附图说明图1为本专,辛基-3氮-二,4,9,亚胺、酞菁、10-苝酰酞

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